特点： 1） 超低相位噪声、超低频率噪声； 2） 最小积分线宽＜3kHz； 3） 40nm全波段本征线宽＜10Hz； 4） 内置硅光芯片体积小，性能稳定，振动特性优良； 5） 调谐范围：40nm@C-band； 6） 边模抑制比＞53dB； 7） 输出功率＞10mw； 8） 标准14pin蝶形封装； 9） 低功耗。
特点：
1） 超低相位噪声、超低频率噪声；
2） 最小积分线宽＜3kHz；
3） 40nm全波段本征线宽＜10Hz；
4） 内置硅光芯片体积小，性能稳定，振动特性优良；
5） 调谐范围：40nm@C-band；
6） 边模抑制比＞53dB；
7） 输出功率＞10mw；
8） 标准14pin蝶形封装；
9）低功耗。
